Heikki Ihantola

Wikipediasta
Siirry navigaatioon Siirry hakuun

Heikki Kaarlo Juhani Ihantola (12. joulukuuta 1933 Viljakkala – 5. heinäkuuta 2019 Salo[1]) oli suomalainen tekniikantutkija, tekninen johtaja ja professori. Hän väitteli tekniikan tohtoriksi Teknillisestä korkeakoulusta vuonna 1969 oltuaan mm. Asla-Fulbright stipendiaattina USA:ssa 1960-1961. Hän oli myös vierailevana tutkijana Italiassa puolijohdevalmistaja SGS:llä kolmen vuoden ajan ja työskenteli useissa teollisuuden elektroniikan tutkimus- ja kehitystehtävissä Suomessa (Oy Fiskars Ab:n Elektroniikkaosasto, Upo Oy, Salora Oy, Salcomp Oy) sekä Micronas Oy:n teknisenä johtajana. Hän oli mukana useissa suomalaisen elektroniikan komponentti- ja puolijohdeteollisuuden rakentamis- ja kehittämisvaiheissa.[2], [3], [4]

Hän toimi Turun yliopiston elektroniikan ja tietotekniikan professorina vuodesta 1986[5] ja jäi virasta eläkkeelle vuonna 1997.[6] Hän tutki puolijohdetekniikkaa ja -fysiikkaa.[7]

Hän on tunnettu[8][9], osallisuudestaan integroitujen piirien suunnittelussa tarvittavan MOS-transistorimallin kehitysaskeleesta, jossa malliin on lisätty substraattivaraus, tulo- ja lähtökapasitanssit.[10],[11]

Lähteet

[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]
  1. ↑ Kuolinilmoitus. Helsingin Sanomat 28.7.2019. s. C 9.
  2. ↑ T. Stubb, H. Ihantola, S. Poutanen: Tutkimus puolijohdetehtaan kannattavuusedellytyksistä Suomessa vuonna 1973. SITRA, 31.10. 1970.
  3. ↑ Veikko Lindroos, Piikiekkojen menestystarina – mutta tuhkimotarina jäi viittä vaille: Materia (3)2010, s. 43. Tammisaari: Vuorimiesyhdistys ry, 2010.
  4. ↑ H. Ihantola, Tutkimus Suomen elektroniikkateollisuudesta: Raportti, s. 71 s.. Helsinki: Sitra, 1973.
  5. ↑ Facta 2001, Täydennysosa 1990, s. 284. WSOY 1990.
  6. ↑ Ellonen, Leena (toim.): Suomen professorit 1640–2007, s. 217. Helsinki: Professoriliitto, 2008. ISBN 978-952-99281-1-8
  7. ↑ WSOY Iso Tietosanakirja, osa 3, s. 350. WSOY 1997.
  8. ↑ C.-T. Sah: A History of MOS Transistor Compact Modeling, s. 347-390. USA: NSTI-Nanotech, www.nsti.org, ISBN 0-9767985-3-0, WCM 2005.
  9. ↑ H. P. Tuinhout: MOSFET effective dimensions determination for VLSI process evaluation, Proceedings of the 1989 International Conference on Microelectronic Test Structures, s. 61-64. UK: IEEE, 1989.
  10. ↑ H. K. J. Ihantola: Report No. 1661-1. USA: Stanford Electronics Laboratory, 1961.
  11. ↑ H. K. J. Ihantola, J. L. Moll: Design Theory of a Surface Field-Effect Transistor, s. 423-430. UK: Solid-State Electronics, 7(4), 1963.

Aiheesta muualla

[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]
Tämä tieteilijään liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.
Noudettu kohteesta ”https://fi.wikipedia.org/w/index.php?title=Heikki_Ihantola&oldid=22303183”