Silicon on insulator

Wikipediasta
(Ohjattu sivulta Silicon On Insulator)
Siirry navigaatioon Siirry hakuun

Silicon on insulator eli SOI on puolijohteiden valmistuksessa käytetty tekniikka, jossa substraatissa on pelkän piin sijasta tyypillisesti piidioksidista tai safiirista tehty eristekerros kahden piikerroksen välissä. Näin valmistettuun mikropiiriin muodostuvat loiskapasitanssit ovat piisubstraattiin verrattuna pienempiä, joten piirin tehonkulutus on matalampi.[1] IBM julkaisi ensimmäisen SOI-toteutuksen elokuussa 1998.

Radiotaajuus- ja sekasignaalisovellutuksissa tekniikalla saadaan alhaisempi kohina.[2]

Lähteet

[muokkaa | muokkaa wikitekstiä]
  1. ↑ http://www.prosessori.fi/es00/arkisto/piirirak.htm (Arkistoitu – Internet Archive)
  2. ↑ Silicon On Insulator (SOI) qub.ac.uk. Viitattu 6.3.2022. (englanniksi)
Tämä tekniikkaan liittyvä artikkeli on tynkä. Voit auttaa Wikipediaa laajentamalla artikkelia.
Noudettu kohteesta ”https://fi.wikipedia.org/w/index.php?title=Silicon_on_insulator&oldid=20602105”